快速退火炉RTP600专为半导体高温处理设计，支持500℃~1000℃范围内的氧化/扩散/快速退火工艺，采用双层21×1kW高功率灯管，实现150℃/s极速升温控制，通过水冷铝质外壳、石英内腔确保温度均匀性，兼容2~6英寸晶圆片，结合精密气体控制提供高效解决方案。

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